三星半导体在COMPUTEX上展示了横跨存储器、晶圆代工、逻辑芯片与先进封装的各人唯独IDM（整合元件制造商）款式的「全场地处分有谋划（ Total Solution ）」竞争力，以及管待新一代AI系统的发展计策。

这次展览中，三星首度公开了下一代HBM处分有谋划—HBM4E 晶圆与芯片。HBM4E由三星起原进的1c DRAM制程的中枢晶粒（Core Die），与三星晶圆代工4纳米制程的基础晶粒（Base Die）集合而成的次世代HBM处分有谋划。该家具能褂讪因循每引脚（Pin）最高14Gbps的传输速率，改日可膨胀至16Gbps（最高4TB/s频宽）的效用。此外，HBM4E的容量较前一代培育30%以上，并可依照客户与系统需求，提供从32GB至64GB的多种成立。

除HBM4E除外，也同步公开了下一代HBM 架构模子（Mock-up）。三星示意，最受留心标是，首度亮相、对准 HBM5 期间的中枢时候—HPB（Heat Path Block）架构。HPB是三星为培育下一代HBM散热效用所赞助的热经管架构（Thermal Architecture）时候。

三星指出，跟着AI加快器效用、存储器频宽与功率密度快速培育，散热经管已成为高效用AI系统发展的紧要关节。尤其在HBM5架构中，需要以更快的速率处理更多的数据量，存储器里面产生的热量也随之大增。其中，负责HBM与外部GPU之间超高速数据传输的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer），是Base Die中主要的发烧来源之一。跟着数据传输速率越快，21点棋牌app2026中国最新版官网D2D PHY所产生的热量也同步增多。因此，在HBM5等高效用家具中，何如有用控温与散热，将是关节竞争力。

HPB时候恰是为了处分此挑战而赞助，HPB的结构瞎想是在D2D PHY区域罕见成立一条孤立的热传导旅途（ThermalPath ），让热不错更有用果地向传说导与泄气，借此可缩小热阻（Thermal Resistance），培育运作褂讪性，即使在高带宽、高密度整合的环境下，也能展现更适应的系统效用阐述。

三星现在已在HBM4E的基础上完成HPB时候考据，并计画从HBM5运转慎重导入此时候。这是三星初次慎重公开下一代HBM架构及热经管时候发展意见，预期将成为强化HBM时候引导地位的紧要里程碑。

三星示意，这次展览也展示因应NVIDIA Vera Rubin 平台发展意见的AI存储器与储存家具组合。在 GPU 方面，展示了 HBM4；在系统存储器领域21点棋牌app2026中国最新版下载，则有 SOCAMM2；在储存处分有谋划，则先容 PM1763、PM1753 与 PM9D3a 等针对AI责任负载特质最好化的家具。很是是，PM1763 预测将搭载于 NVIDIA VR200 GPU 作事器的本机 SSD（Local SSD）使用。